بكين - وكالات
يطلق على الجهاز الجديد اسم "بوكس"
يمثل "بوكس" نقلة نوعية في عالم الذاكرة غير المتطايرة
يتفوق على تقنيات الذاكرة المتطايرة التقليدية مثل "SRAM" و"DRAM"
نجح فريق بحثي صيني في تطوير جهاز ذاكرة فلاش جديد قادر على تخزين البيانات بسرعة غير مسبوقة، تبلغ "بت" واحداً كل 400 بيكو ثانية.
وبحسب ما أوردت وكالة الأنباء الصينية (شينخوا)، الجمعة، يعدّ الجهاز الجديد، المعروف باسم "بوكس"، أسرع أداء معروف حتى الآن في تقنيات تخزين أشباه الموصلات.
ويمثل "بوكس" نقلة نوعية في عالم الذاكرة غير المتطايرة، إذ يتفوق على تقنيات الذاكرة المتطايرة التقليدية مثل "SRAM" و"DRAM"، التي تحتاج ما بين 1 إلى 10 نانو ثانية لتخزين بت واحد من البيانات.
وللمقارنة، فإن البيكو ثانية تساوي جزءاً من تريليون جزء من الثانية، أي أقل بألف مرة من النانو ثانية.
ويأتي هذا التطور بعد سنوات من التحديات التقنية، حيث كانت الذاكرات المتطايرة تُفقد بياناتها عند انقطاع الكهرباء، في حين تعاني الذاكرات غير المتطايرة مثل الفلاش التقليدي من بطء الأداء، ما يجعلها غير ملائمة لتطبيقات الذكاء الاصطناعي وأنظمة الحوسبة منخفضة الطاقة.
ويعتمد الابتكار الجديد على تصميم ثنائي الأبعاد لقناة "ديراك الجرافين"، ضمن آلية فريدة تسمح بتجاوز القيود القديمة المرتبطة بسرعة الوصول والتخزين.
ويأمل الباحثون أن تفتح هذه التقنية الباب أمام جيل جديد من معالجات البيانات عالية الكفاءة.
إشترك عبر خدمة أخبار “الشبيبة “ على الواتساب لتصلك آخر و أهم الأخبار.
للإشتراك أرسل كلمة “ أشترك “ على الأرقام التالية:
تواصل معنا لعرض مشكلتك
